[发明专利]半导体存储器件和用于向半导体存储器件写数据的方法无效
| 申请号： | 200610153952.2 | 申请日： | 2006-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1945742A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | L·德安布洛吉;T·克尔恩 | 申请（专利权）人： | 奇梦达闪存有限责任两合公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;G11C16/10;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘春元;王忠忠 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 半导体存储器件，包括字线、第一位线、两个第二位线、第一存储单元和第二存储单元。第一存储单元被耦合到所述字线、所述第二位线中的一个以及第一位线。所述第二存储单元被耦合到所述字线、所述第二位线中的另一个和所述第一位线。每个存储单元存储一第一位和一第二位。所述半导体器件还包括一个与所述字线、所述第一和第二位线相耦合的编程单元。所述编程单元使得在给所述第一位线施加一第二编程电位时把一第一编程电位施加到所述字线以及把一第三编程电位施加到所述第二位线，以便编程所述第二存储单元的所述第一位和所述第一存储单元的所述第二位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 用于 数据 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：一字线；一第一位线；一第二位线；一第三位线；一第一存储单元和一第二存储单元，所述第一存储单元被耦合到所述字线、所述第一位线和所述第二位线，所述第二存储单元被耦合到所述字线、所述第一位线和所述第三位线，其中每个存储单元存储一第一位和一第二位；与所述字线、所述第一位线、所述第二位线及所述第三位线相耦合的编程单元，所述编程单元使得在给所述第一位线施加一第二编程电位时把一第一编程电位施加到所述字线以及把一第三编程电位施加到所述第二和第三位线，以便编程所述第二存储单元的所述第一位和所述第一存储单元的所述第二位。
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