[发明专利]用于沟槽IGBT的深N扩散无效
| 申请号： | 200610153428.5 | 申请日： | 2006-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN1921146A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | R·弗朗西斯;C·额 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/36 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于沟槽IGBT的深N扩散。在沟槽型IGBT的相邻沟槽之间和沟槽下提供一种与漂移区相同导电类型的增大导电率的深扩散，以当器件导通时对电流减小漂移区电阻和扩展电阻的导通电阻成分。深扩散具有比漂移区更高的浓度，且具有4－10微米的宽度。晶片或管芯具有大约70－300微米的总宽度(或厚度)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沟槽 igbt 扩散 | ||
【主权项】：
1、一种具有用于降低其正向电压降的深扩散的沟槽IGBT，包含：一种导电类型的并具有第一浓度的单晶硅体，且具有平行的顶和底表面；垂直延伸至所述顶表面中给定深度的多个间隔开的沟槽；衬垫所述沟槽的垂直壁的栅绝缘层；形成在每个所述沟槽之间并具有比所述沟槽深度更小的深度的其它导电类型的沟道扩散；从所述体的所述顶表面延伸并沿着每个所述沟槽的上部的所述一种导电类型的发射极扩散；所述发射极扩散通过所述沟槽之间的给定距离彼此间隔；具有比所述沟道扩散浓度高的浓度并设置在相邻的所述发射极扩散对之间的所述其它导电类型的浅接触扩散；在所述底表面中的所述其它导电类型的集电极扩散；与所述发射极及沟道扩散相接触的发射极金属电极和与所述集电极扩散相接触的集电极电极；以及所述一种导电类型的且具有比所述第一导电率更大的导电率的深扩散，设置在所述沟道扩散之下并延伸到所述沟槽底部之下。
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