[发明专利]一种单栅双沟道像素结构

摘要

本发明公开了一种单栅双沟道像素结构，其中包括：一完成驱动的扫描配线和数据配线；两薄膜晶体管，两薄膜晶体管具有一栅极，两源极与一漏极，栅极和扫描配线电性连接，漏极与数据配线电性连接；一像素电极，该像素电极电性连接于两源极。本发明像素结构是采用两个薄膜晶体管对像素电极充电，相对于现有技术的像素结构中采用单个薄膜晶体管对像素电极充电，大幅度的提高了像素结构的充电能力；另外本发明能够保证Cgs整体的均一性，从而达到良好的显示效果；再者本发明如果一个薄膜晶体管遭到损坏，另一个仍能保持对像素电极的充电能力，从而降低了亮暗点的发生率。

主权项

1、一种单栅双沟道像素结构，其特征在于，包括：一完成驱动的扫描配线和数据配线；两薄膜晶体管，所述两薄膜晶体管具有一栅极，两源极与一漏极，所述的栅极和扫描配线电性连接，所述漏极与数据配线电性连接；一像素电极，该像素电极电性连接于两源极。