[发明专利]一种TFT LCD阵列基板结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT LCD阵列基板结构，包括：基板；栅电极、栅极扫描线和公共电极，其中公共电极为存储电容的底电极；栅绝缘层；有源层及其上的沟道；数据扫描线、源电极和漏电极；形成在栅绝缘层之上的存储电容顶电极；钝化层及形成在漏电极及存储电容顶电极之上的钝化层过孔或沟槽；形成在钝化层上的像素电极，并通过钝化层过孔或沟槽与漏电极及存储电容顶电极连接。本发明同时公开了该阵列基板结构的制造方法。本发明可缩小挡光条面积，缩小了挡光条与透明像素电极，公共电极与透明电极之间的交叠面积，从而增加了开口率和/或提高存储电容，并进一步提高TFTLCD的显示品质。

主权项

1、一种TFT LCD阵列基板结构，其特征在于，包括：一基板；一栅电极、栅极扫描线和公共电极，均形成在所述基板之上，其中公共电极为存储电容的底电极；一个栅绝缘层，形成在所述栅电极、栅极扫描线、公共电极和基板之上；一有源层及其上的沟道，形成在所述栅电极之上；一数据扫描线、源电极和漏电极，均形成在所述栅绝缘层之上；一存储电容顶电极，形成在所述栅绝缘层之上；一钝化层，形成在所述栅绝缘层、数据扫描线、源电极、漏电极及存储电容顶电极之上，并在所述漏电极及存储电容顶电极之上形成钝化层过孔或沟槽；一像素电极，形成在所述钝化层上，并通过所述钝化层过孔或沟槽与漏电极及存储电容顶电极连接。