[发明专利]电感器结构及集成电路结构无效
申请号: | 200610143598.5 | 申请日: | 2006-11-09 |
公开(公告)号: | CN101179072A | 公开(公告)日: | 2008-05-14 |
发明(设计)人: | 陈志华 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明揭示一种电感器结构以及包括该电感器结构的集成电路结构。所述电感器结构位于一半导体基底中,利用多层内连线结构中的最上一层内连线的制作以同时制得一螺旋状的第一导电层,位于第一介电层中,具有与最上层的内连线相同的材料。以及,利用多层内连线结构中的介层插塞的制作以同时制得一第二导电层,填入于一位于第二介电层中的沟渠状开口中。第二导电层位于第一导电层下方,而与第一导电层底部连接为一整体。如此,增加电感导线的截面积,可降低电阻,获得较高的Q值。 | ||
搜索关键词: | 电感器 结构 集成电路 | ||
【主权项】:
1.一种电感器结构,位于半导体基底中,该半导体基底包括最上层的内连线位于第一介电层中、第二介电层位于第一介电层的下方、及至少一介层洞位于第二介电层中而填有介层插塞与该最上层的内连线电连接,该电感器结构包括:第一导电层,螺旋状,位于第一介电层中,包括与该最上层的内连线相同的材料;及第二导电层,填入于位于第二介电层中的沟渠状开口中,位于第一导电层下方,以顶部与第一导电层底部连接,具有与该螺旋状相同的形状,并包括与该介层插塞相同的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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