[发明专利]基于纳米管的非易失性存储器件有效
申请号: | 200610142807.4 | 申请日: | 2006-10-26 |
公开(公告)号: | CN1964053A | 公开(公告)日: | 2007-05-16 |
发明(设计)人: | 柳震奎;李秀一 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L23/522;G11C16/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种非易失性存储器件。该存储器件包括:衬底;至少第一和第二电极,设置在该衬底上,彼此间隔开预定距离;导电纳米管,设置在该第一和第二电极之间并且由于静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触;及支承物,支承该导电纳米管。因此,该存储器件是可擦除非易失性存储器件,其能在即使没有电源供应时保持信息,并确保高操作速度和高集成密度。另外,由于该存储器件以位为单位写入和擦除信息,所以该存储器件能应用于很多领域。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 非易失性存储器 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性纳米管存储器件,包括:衬底;至少第一和第二电极,设置在该衬底上且彼此间隔开预定距离;导电纳米管,设置在该第一和第二电极之间并且根据施加到该导电纳米管的静电力选择性地与该第一电极或该第二电极接触;及支承物,支承该导电纳米管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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