[发明专利]微影光罩及其制造方法与使用上述两者制造的半导体元件无效
申请号: | 200610140406.5 | 申请日: | 2006-09-30 |
公开(公告)号: | CN1959528A | 公开(公告)日: | 2007-05-09 |
发明(设计)人: | 严永松;陈桂顺;赖建文;蔡澄贤 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种微影光罩及其制造方法与使用上述两者制造的半导体元件包括一个位于独立或半独立区域的设计特征,以及复数个垂直于设计特征的平行线型辅助特征。这些平行线型辅助特征包括位于设计特征两边的两组平行辅助特征。第一组平行辅助特征位于设计特征的第一边上,且垂直于设计特征。第二组平行辅助特征位于设计特征的第二边上,且垂直于设计特征。上述的附加的辅助特征改善了独立及半独立特征结构的焦深与解析度,并降低光罩错误增强因子的产生。 | ||
搜索关键词: | 微影光罩 及其 制造 方法 使用 上述 两者 半导体 元件 | ||
【主权项】:
1、一种微影光罩,其特征在于其至少包括:一设计特征,位于光罩上的独立或半独立区域;以及复数个平行线型辅助特征,垂直于该设计特征。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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