[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及基板的制造方法无效
| 申请号： | 200610140334.4 | 申请日： | 2006-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1975983A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 森口善弘;釜石孝生 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高科技 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/306;G03F7/26;G03F7/16;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 日本东京港区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板的制造方法。该基板处理装置可使基板保持倾斜的状态，并利用高于常温的温度的药液，对倾斜的基板均匀地进行药液处理。加热器(11)在基板(1)通过加热器(11)的下方时，将基板(1)的表面加温到与药液喷嘴(21)所供给的药液的温度相近的温度。药液喷嘴(21)向基板(1)的表面供给高于常温的温度的药液。利用向基板(1)的表面所供给的药液，对基板(1)的表面进行药液处理。藉由在进行基板(1)的药液处理之前，将基板(1)加温到与药液处理所利用的药液的温度相近的温度，而使已供给了药液的基板(1)的表面的上侧和下侧的温度的上升差异缩小，使基板(1)的表面的温度迅速地大致成为均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 以及 制造 | ||
【主权项】：
1、一种基板处理装置，为一种包括：基板移动装置，其使基板在对水平方向倾斜成规定的角度的状态下进行移动并保持着，以及药液供给装置，其向前述基板移动装置所保持的基板供给高于常温的温度的药液的基板处理装置，其特征在于具备：加温装置，其在前述药液供给装置供给药液之前，将由前述基板移动装置所移动或保持的基板，加温到与前述药液供给装置所供给的药液的温度相近的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
