[发明专利]一种TFT阵列结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种TFT阵列结构，包括：基板；栅线和一体的栅电极，形成在基板上，并依次覆盖有栅绝缘层、半导体层；一阻挡层，形成在半导体层上并露出两侧的部分半导体层；绝缘层，形成在栅线及栅电极、栅绝缘层、半导体层和阻挡层的两侧；欧姆接触层，形成在半导体层和阻挡层的上方；晶体管沟道；数据线及源电极、漏电极；钝化层；像素电极，形成在钝化层上并通过孔与源电极连接。其中绝缘层最好为聚合物。本发明同时公开了一种TFT阵列结构的制造方法。本发明能保证TFT阵列有很小的关态电流；能降低工艺开发的难度和成本；能减少金属断线的发生和钝化层内部应力的堆积，有利于成品率的提高。

主权项

1、一种TFT阵列结构，其特征在于，包括：一基板；一栅线和与其一体的栅电极，形成在所述基板上，栅线和栅电极的上方依次覆盖有栅绝缘层、半导体层；一阻挡层，形成在所述半导体层上并露出两侧的部分半导体层；一绝缘层，形成在所述栅线及栅电极、栅绝缘层、半导体层和阻挡层的两侧；一欧姆接触层，形成在所述半导体层和阻挡层的上方；一沟道，形成在所述欧姆接触层上并在所述阻挡层上方位置截断欧姆接触层；一数据线及与其一体的源电极，形成在所述欧姆接触层的上方；一漏电极，形成在所述欧姆接触层的上方；一钝化层，形成在所述数据线、源电极及漏电极的上方；一过孔，形成在所述漏电极的上方；一像素电极，形成在所述钝化层上，并通过过孔与所述漏电极连接。