[发明专利]表面发光半导体激光元件无效
| 申请号： | 200610136631.1 | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1964145A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 渡部义昭;成井启修;黑水勇一;山内义则;田中嘉幸 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 魏晓刚;李晓舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种表面发光半导体激光元件，包括衬底、配置在衬底上的包括半导体多层的下反射体、配置在下反射体上的有源层、配置在有源层上的包括半导体多层的上反射体、具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，以及配置在第一开口的内部的具有暴露上反射体的第二开口并且在化合物半导体层上延伸的金属膜，其中金属膜与化合物半导体层构成其复数折射率自第二开口的中心向外变化的复数折射率分布结构。还提供一种制造以单峰横向模式发射激光的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发光 半导体 激光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种表面发光半导体激光元件，包括：衬底，配置在衬底上的下反射体，包括半导体多层，配置在下反射体上的有源层，配置在有源层上的上反射体，包括半导体多层，具有暴露上反射体的第一开口并且在上反射体上延伸的化合物半导体层，和包括环形膜与岛状膜的金属膜，环形膜具有配置在第一开口内部的暴露上反射体的第二开口，环形膜在化合物半导体层上延伸，岛状膜象岛一样配置在第二开口内的上反射体上，其中金属膜和化合物半导体层构成其复数折射率从第二开口中心向外变化的复数折射率分布结构。
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