[发明专利]锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200610130271.4 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1974476A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 马卫兵;孙凤云;孙清池 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/36 | 分类号： | C04B35/36;C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法，其组分和含量为LaMnO3基础上添加10－70mol％TiO2，同时添加0－60mol％的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。制备步骤包括(1)配料，(2)造粒，(3)成型，(4)烧成，(5)电极制备。本发明克服了NTCR陶瓷材料室温电阻较大的缺点，提供了一种具有良好的导电性能和高温稳定性、实现了室温电阻率为182Ω.cm，而温度系数B值为3268K的锰酸镧为基的钙钛矿型NTCR半导体陶瓷。本发明在温度测量、抑制浪涌电流和温度补偿方面得到广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 锰酸镧系负 温度 系数 半导体 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷，其特征在于，其组分和含量为：在LaMnO3基础上掺杂10-70mol％TiO2及0-60mol％的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610130271.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：用于简档形成接口辅助类加载的方法和系统
