[发明专利]<110>无位错硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200610129891.6 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1995485A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 沈浩平;汪雨田;胡元庆;尚伟泽;周建华;李翔;李海静 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王凤英;阎雅茹 |
| 地址： | 300384天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及硅单晶的拉晶工艺，特别涉及一种适用于半导体和太阳能光电器件的<110>无位错单晶的制造方法以及对在制造方法过程中使用的石墨热系统的改进。该方法包括如下步骤：(1).在引晶工艺中，引晶直径应≥5mm，其收放比例为100％，引晶拉速应≥5mm/min，引晶长度为150－300mm；(2).在放肩工艺中，放肩速度为0.2～1.5mm/min；(3).在等径工艺中，单晶头部拉速应为1.0－3.0mm/min，尾部拉速应为0.5－2.0mm/min；(4).在收尾工艺中，单晶收尾长度应大于晶体的直径，收尾最小直径应≤10mm。制造<110>无位错硅单晶的石墨热系统的上保温筒的保温层厚度为20～30mm，下保温筒的保温层厚度为60～70mm，炉底护盘的保温层厚度为70～80mm。本发明成功实现了生产<110>无位错单晶，从而满足了国内外市场对<110>无位错单晶的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 110 无位错硅单晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种<110>无位错硅单晶的制造方法，包括如下步骤：(1).在引晶工艺中，引晶直径应≥5mm，其收放比例为100％，引晶拉速应≥5mm/min，引晶长度为150-300mm；(2).在放肩工艺中，放肩速度为0.2～1.5mm/min；(3).在等径工艺中，单晶头部拉速应为1.0-3.0mm/min，尾部拉速应为0.5-2.0mm/min；(4).在收尾工艺中，单晶收尾长度应大于晶体的直径，收尾最小直径应≤10mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津市环欧半导体材料技术有限公司，未经天津市环欧半导体材料技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610129891.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
