[发明专利]分离栅极式存储单元及其形成方法无效
| 申请号： | 200610129199.3 | 申请日： | 2006-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101034721A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 黄成铭;宋弘政;朱文定;谢章仁;高雅媜 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种分离栅极式存储单元及其形成方法。一浮置栅极设置在一衬底上并与其绝缘。衬底具有一有源区，它由一对形成在衬底内的隔离结构所分隔而成。浮置栅极设置在该对栅极结构之间且不与其上表面重叠。一上盖层设置在浮置栅极上。一控制栅极设置在浮置栅极的侧壁且与其绝缘并局部延伸至上盖层的上表面。一源极区形成在衬底内并靠近浮置栅极的一侧。本发明的分离栅极式存储单元及其制造方法，具有较高的源极耦合率，同时又能缩小有源区的间距，可提高存储单元的编程和擦除效率，进一步提高集成电路性能。 | ||
| 搜索关键词： | 分离 栅极 存储 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种分离栅极式存储单元，包括：一衬底，具有一有源区，其由一对形成于该衬底内的隔离结构所分隔而成；一浮置栅极，设置于该衬底的有源区上并与其绝缘，且位于该对隔离结构之间而并未与其上表面重叠；一上盖层，设置于该浮置栅极上；一控制栅极，设置于该浮置栅极的侧壁且与其绝缘并局部延伸至该上盖层的上表面；以及一源极区，形成于该衬底内并靠近该浮置栅极的一侧。
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