[发明专利]对已进行曝光处理的衬底进行处理的设备及方法有效
申请号: | 200610128106.5 | 申请日: | 2006-09-04 |
公开(公告)号: | CN1933100A | 公开(公告)日: | 2007-03-21 |
发明(设计)人: | 滨田哲也 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;G03F7/00;G03F1/00 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种对已进行曝光处理的衬底进行处理的设备及方法。在这种衬底处理设备中,已通过曝光装置进行曝光处理的衬底被传输至清洗处理装置中。调整清洗处理装置中已曝光衬底的存在时间(更具体地,等待时间或清洗时间),以调整清洗处理结束的时刻,从而提供曝光处理完成时刻与清洗处理结束时刻之间的恒定时间间隔。上述调整提供曝光处理完成时刻与曝光后烘烤处理开始时刻之间的恒定时间间隔,还提供清洗处理完成时刻与曝光后烘烤处理开始时刻之间的恒定时间间隔。这实现了在使用化学放大抗蚀剂时形成的图案的线宽均匀性的进一步提高。 | ||
搜索关键词: | 进行 曝光 处理 衬底 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理设备,其与曝光设备相邻设置,所述衬底处理设备包括:清洗处理部件,用于对已通过所述曝光设备进行曝光处理的衬底至少进行清洗处理;加热处理部件,用于对已进行所述清洗处理的衬底进行加热处理;传输机构,用于从所述曝光设备接收衬底,并将该衬底经过所述清洗处理部件传输至所述加热处理部件;以及控制器,用于提供近似恒定的第一处理间时间间隔和近似恒定的第二处理间时间间隔,其中所述第一处理间时间间隔为所述曝光设备完成衬底的曝光处理的时刻与所述加热处理部件开始该衬底的加热处理的时刻之间的时间间隔,所述第二处理间时间间隔为所述清洗处理部件完成该衬底的清洗处理的时刻与所述加热处理部件开始该衬底的加热处理的时刻之间的时间间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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