[发明专利]立体式封装结构及其制造方法

摘要

一种立体式封装结构及其制造方法，制造方法包括以下步骤：(a)提供一半导性本体；(b)在半导性本体上形成至少一个盲孔；(c)在盲孔的侧壁上形成一绝缘层；(d)在绝缘层上形成一导电层；(e)在导电层上形成一干膜；(f)在盲孔内填入焊料；(g)移除干膜；(h)图案化导电层；(i)移除半导性本体下表面的一部分及绝缘层的一部分，以暴露出导电层的一部分；(j)堆栈复数个半导性本体，并进行回焊；及(k)切割堆栈后的半导性本体，以形成复数个立体式封装结构。由此，导电层的下端是“插入”下方的半导性本体的焊料中，因而使得导电层与焊料的接合更为稳固，且接合后的立体式封装结构的整体高度可以有效地降低。

主权项

1.一种立体式封装结构的制造方法，其特征在于包括以下步骤：(a)提供一半导性本体(semiconductor body)，该半导性本体具有一第一表面及一第二表面，该第一表面具有至少一个焊垫及一保护层(protection layer)，该保护层暴露出该焊垫；(b)在该半导性本体的第一表面形成至少一个盲孔；(c)在该盲孔的侧壁上形成一绝缘层(isolation layer)；(d)形成一导电层(conductive layer)，该导电层覆盖该焊垫、该保护层及该绝缘层；(e)在该导电层上形成一干膜(dry film)，该干膜和该盲孔的相对位置开设有开口；(f)在该盲孔内填入一焊料(solder)；(g)移除该干膜；(h)图案化该导电层；(i)移除该半导性本体第二表面的一部分及该绝缘层的一部份，以暴露出该导电层的一部分；(j)堆栈复数个该半导性本体，并且进行回焊(reflow)；及(k)切割该堆栈后的半导性本体，以形成复数个立体式封装结构。