[发明专利]非易失性存储单元及阵列无效
| 申请号： | 200610127479.0 | 申请日： | 2006-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN101145575A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 颜子师 | 申请（专利权）人： | 应用智慧有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;G11C17/10;G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及存储单元及阵列。该存储单元包括：一栅极、一介电层位于该栅极下方及一有源区。该有源区包括一第一源/漏极区、一第二源/漏极区、一正交场沟道区位于栅极下方、一边际场沟道区介于该第一源漏极区与该正交场沟道区之间、一延伸掺杂区介于该第二源漏极区与该正交场沟道区之间及一金属硅化合物层。该金属硅化合物形成于该栅极、该第一源漏极区及第二源漏极区之上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，包括：一栅极电极；一栅极介电层位于该栅极电极下方；一有源区，包括：一第一源/漏极区；一第二源/漏极区；一正交场沟道形成于该栅极电极之下；一边际场沟道形成介于该第一源/漏极区与该正交场沟道之间；一延伸掺杂区形成于该第二源/漏极区与该正交场效沟道之间；一金属半导体化合物形成于该栅极电极、第一源/漏极区与第二源/漏极区之上。
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