[发明专利]半导体制造方法及装置有效

专利信息
申请号: 200610126326.4 申请日: 2006-08-30
公开(公告)号: CN101021689A 公开(公告)日: 2007-08-22
发明(设计)人: 林钟昊 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种使用传感装置读取在衬底上定义的域的表面层面的方法,该传感装置具有由多个单元构成的至少一个单元阵列。所述方法包括选择构成所述至少一个单元阵列的单元中的一些,并且指定所选择的单元作为可用的单元。将光照射到域的表面上,以及使用可用的单元感应从域的表面反射的光并且提取可用的层面信号。可用的层面信号可以计算来读取域的表面层面。域的表面层面用在控制曝光装置的层面的方法中,该曝光装置使用表面层面上、下、左、右、前、后和旋转方向上控制安装在平衡台上的衬底。
搜索关键词: 半导体 制造 方法 装置
【主权项】:
1、一种使用传感装置读取在衬底上定义的域的表面层面的方法,所述传感装置具有由多个单元构成的至少一个单元阵列,所述方法包括:选择构成所述至少一个单元阵列的单元中的一些,并且指定所选择的单元作为可用的单元;将光照射到所述域的表面上;以及使用所述可用的单元感应从所述域的表面反射的光并且提取可用的层面信号。
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