[发明专利]电子发射源及其制备方法和采用其的电子发射装置无效
| 申请号： | 200610125792.0 | 申请日： | 2006-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1913075A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 崔荣喆;金载明;金昌昱;李恩美;南仲佑;赵晟希;朴钟换;任志淳 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 及其 制备 方法 采用 装置 | ||
【主权项】：
1、一种电子发射源，包括：碳基材料；以及由涂敷在所述碳基材料上的金属碳化物构成的涂层，所述金属碳化物的金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能。
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