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[发明专利]有机发光二极管显示面板及其制造方法-CN201510670204.0有效
发明人：李东振;金哲弘;赵晟希;郑容彬 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明涉及有机发光二极管显示面板及其制造方法。有机发光二极管(OLED)显示面板包括设置在第一电极上的有机层和设置在有机层上的多层薄膜。多层薄膜由石墨烯的堆叠体形成。多层薄膜在其中的两个或更多个上层之间具有层间键合。
有机发光二极管显示面板及其制造方法

[发明专利]功能性单层膜和具有该功能性单层膜的显示装置-CN201510689351.2在审
发明人：李东振;金哲弘;赵晟希;金根伶;郑容彬;宋秀娫 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：公开了一种功能性单层膜和包括该功能性单层膜的显示装置。该功能性单层膜置于显示装置的盖窗上。该功能性单层膜包括基体材料和在基体材料中所包含的含碳片状物。含碳片状物的含量从0.01wt％至0.1wt％。
功能单层具有显示装置

[发明专利]量子棒及其制造方法-CN201310596775.5有效
发明人：郑京锡;蔡基成;金珍郁;赵晟希 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种量子棒及其制造方法，所述量子棒包括：具有棒状的ZnS半导体颗粒的芯；和过渡金属，所述过渡金属被用来掺杂所述芯，并且偏向所述芯长度方向的一侧。
量子及其制造方法

[发明专利]量子棒发光显示装置-CN201210505175.9有效
发明人：田日;金京粲;朴重笔;池文培;赵晟希;张庆国;郑京锡 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明涉及量子棒发光显示装置，包括：显示面板，所述显示面板包括第一基板、与所述第一基板相对的第二基板以及形成在所述第一基板与所述第二基板之间的量子棒层，其中在所述量子棒层中多个量子棒在一个方向上排列；设置在所述显示面板上的偏振器，所述偏振器包括四分之一波片（QWP）层和聚乙烯醇（PVA）层，其中所述PVA层仅透过在第一方向上线偏振的光，且其中所述QWP层设置在所述PVA层下方，且所述QWP层使在所述第一方向上线偏振的光圆偏振或者使由所述显示面板反射的光在第二方向上线偏振。
量子发光显示装置

[发明专利]量子棒发光显示装置-CN201210506089.X有效
发明人：田日;金京粲;朴重笔;池文培;赵晟希;张庆国;郑京锡 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：量子棒发光显示装置。根据本发明的实施方式的量子棒发光显示装置包括：包括第一基板、与该第一基板相对的第二基板以及置于该第一基板和该第二基板之间的量子棒层的显示面板，其中该量子棒层内的量子棒排列在一个方向上；提供在该显示面板的下面并被配置为向该显示面板提供光的背光单元；以及形成在该显示面板和该背光单元之间并且被配置为透射具有预定波长范围的光的短波通滤波器膜。
量子发光显示装置

[发明专利]液晶显示装置-CN201210492086.5有效
发明人：金京粲;蔡基成;车淳旭;李敬勋;朴重笔;池文培;赵晟希;张庆国;郑京锡 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明涉及一种液晶显示(LCD)装置，包括：第一基板；第二基板；设置在所述第一和第二基板之间的液晶层；在所述第一和第二基板之一上的滤色器；在所述第一基板下方的第一偏振片；在所述第二基板上方的第二偏振片；在所述第一偏振片下方的背光单元；和设置在所述滤色器与所述第二偏振片之间的量子棒膜片。
液晶显示装置

[发明专利]液晶显示装置-CN201210418172.1有效
发明人：池文培;李正爱;金京粲;李敬勋;尹炅辰;朴重笔;赵晟希;鲁效珍;张庆国;郑京锡 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：液晶显示装置。根据实施方式的液晶显示（LCD）装置包括：液晶面板；第一偏振板，该第一偏振板在所述液晶面板上；背光单元，该背光单元在所述液晶面板下方；以及量子棒片，该量子棒片设置在所述液晶面板和所述背光单元之间。
液晶显示装置

[发明专利]等离子体显示面板-CN200910212128.3无效
发明人：孙承贤;全祥皓;金贤硕;尹福天;郑实根;金炫彻;黄义晶;金正珉;崔城铉;南文浩;金城秀;李惠贞;安商赫;赵晟希;金起永;金明燮 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体显示面板。该等离子体显示面板具有放电单元，该放电单元的每个在第一基板与第二基板之间具有宽度范围。此外，放电单元由非放电空间分隔，非放电空间的高度与放电单元的高度基本相等。
等离子体显示面板

[发明专利]等离子体显示面板-CN200910212127.9无效
发明人：孙承贤;全祥皓;金贤硕;尹福天;郑实根;金炫彻;黄义晶;金正珉;崔城铉;南文浩;金城秀;李惠贞;安商赫;赵晟希;金起永;金明燮;朴亨彬 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2009-11-10 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01J17/49 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体显示面板。该等离子体显示面板具有在第一基板和第二基板之间的放电单元，每个放电单元具有宽度范围。此外，放电空间被非放电空间分隔开，非放电空间具有比放电空间的高度小的高度。
等离子体显示面板

[发明专利]碳基材料、电子发射源及其制备方法以及电子发射装置-CN200710187400.8无效
发明人： 赵晟希 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电子发射源的碳基材料、包含该碳基材料的电子发射源、包括该电子发射源的电子发射装置和制备该电子发射源的方法。该电子发射源具有的碳基材料具有从由h2与h1之比(h2/h1)＜1.3和FWHM2与FWHM1之比(FWHM2/FWHM1)＞1.2组成的组中选择的至少一种特性，其中，在通过辐射波长为488±10nm、514.5±10nm、633±10nm或785±10nm的激光束获得的拉曼光谱中，h2表示第二峰的相对强度，第二峰是在1350±20cm^－1的拉曼位移范围内的峰，h1表示第一峰的相对强度，第一峰是在1580±20cm^－1的拉曼位移范围内的峰，FWHM2表示第二峰的半峰全宽，FWHM1表示第一峰的半峰全宽。包含该碳基材料的电子发射源具有长寿命和高电流密度。
基材电子发射及其制备方法以及装置

[发明专利]电子发射源及其制备方法和采用其的电子发射装置-CN200610125792.0无效
发明人：崔荣喆;金载明;金昌昱;李恩美;南仲佑;赵晟希;朴钟换;任志淳 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子发射源，包括在表面涂层中涂敷有金属碳化物的碳基材料，其中金属在1,500K或更低温度下形成金属碳化物时具有负的吉布斯自由能，本发明还提供了一种制备电子发射源的方法，以及一种包括该电子发射源的电子发射装置。电子发射源包括涂敷有金属碳化物的碳纳米管、或者包括顺序形成在其上的金属碳化物层和金属涂层的碳纳米管。因此，电子发射源在电子发射特性没有退化的情况下具有长使用寿命。电子发射源可以用于制造可靠性得以提高的电子发射装置。
电子发射及其制备方法采用装置

[发明专利]电子发射源、制备该电子发射源的方法和使用该电子发射源的电子发射装置-CN200610079877.X无效
发明人：文钟云;赵晟希;河在相 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-05-15 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：一种包括碳基材料和UV屏蔽材料的电子发射源、制备该电子发射源的方法和使用该电子发射源的电子发射装置。UV屏蔽材料被添加到形成电子发射源的组合物中以更容易地控制电子发射源尖端的锐度。电子发射源组合物可包括碳基材料、含树脂和溶剂的载体和UV屏蔽材料。
电子发射制备方法使用装置

[发明专利]电子发射源和电子发射装置及其制造方法-CN200510071639.X无效
发明人： 赵晟希;朴钟换;李常贤 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-11-30 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子发射源和电子发射装置及其制造方法。形成电子发射源的方法包括：沉积至少一种带电的粒子到带有相反电荷的衬底上，该带电粒子选自由碳基材料、金属粒子、无机粒子、有机材料构成的组。方法给出在用于电子发射装置的电子发射源上选择性地以预定图案沉积碳纳米管，没有残留剩余的有机碳。得到的电子发射装置展现了良好的寿命和电子发射特性。该方法不需要另外的表面处理。
电子发射装置及其制造方法

[发明专利]形成碳纳米管发射器的方法-CN200410089647.2无效
发明人：陈勇完;李玹姃;文钟云;郑得锡;崔浚熙;赵晟希 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种形成碳纳米管发射器的方法。该形成碳纳米管发射器的方法包括：在衬底上以预定形状形成碳纳米管复合物；在该碳纳米管复合物上涂覆呈液相的表面处理材料，并进行干燥；以及将该变干的表面处理材料从该碳纳米管复合物上剥离。
形成纳米发射器方法

[发明专利]用于形成平板显示器件之电子发射源的组合物及采用它制备的电子发射源-CN200410001224.0无效
发明人：尹泰逸;赵晟希;姜晟基 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-01-02 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于形成平板显示器件的电子发射源的组合物，及用该组合物制备的电子发射源。该组合物包含一种或多种用于电子发射的纯度为至少95％的碳系材料，玻璃粉，粘合剂树脂，及溶剂。由该组合物制备的电子发射源所形成的本发明的电子发射源具有高的电发射效率。
用于形成平板显示器件电子发射组合采用制备

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