[发明专利]封装结构的制造方法有效
| 申请号： | 200610125649.1 | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101131945A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 翁国良;李政颖 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种封装结构的制造方法，首先，提供一基板，基板具有一基板表面；接着，在基板表面上设置一芯片；然后，在基板表面上形成一封装材料层；接着，在封装材料层的表面贴附一薄膜；然后，利用一第一刀具沿一切割线贯穿基板及封装材料层，但不贯穿薄膜，切割线是环绕着芯片；接着，利用一第二刀具沿部分切割线贯穿基板，但不贯穿封装材料层，以暴露出部分封装材料层，其中第二刀具的宽度大于第一刀具的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构的制造方法，该方法包括：步骤(1)是提供一基板，该基板具有一基板表面；步骤(2)是在基板表面上设置至少一芯片；步骤(3)是在基板表面上形成一封装材料；其特征在于：该制造方法还包括有步骤(4)、(5)及(6)，其中步骤(4)是在封装材料层的表面上贴附一薄膜；步骤(5)是以一第一刀具沿一切割线贯穿基板及封装材料层，但不贯穿该薄膜，所述的切割线是环绕于芯片；以及，步骤(6)是以一第二刀具沿至少部分的该切割线贯穿基板，但不贯穿封装材料层，以暴露出部分封装材料层，其中该第二刀具的宽度大于第一刀具的宽度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610125649.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
