[发明专利]一种改善金属前介质PMD填充特性的集成方法有效
| 申请号： | 200610119408.6 | 申请日： | 2006-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101202226A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈昊瑜;龚顺强;缪炳有 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁;李隽松 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善金属前介质PMD填充特性的集成方法，本发明方法包括：首先在硅基板上生长一层热氧化膜；再淀积一层多晶硅(1)并进行刻蚀；淀积氮化硅或氧化硅，刻蚀后形成侧墙；形成侧墙后淀积SiN作为衬垫(5)，最后淀积BPSG；但本发明形成侧墙的形貌为倾斜的；形成侧墙的形貌为倾斜的可以通过改变多晶硅的刻蚀条件，使多晶硅底部带有角度为80度左右的倾斜形貌或通过侧墙刻蚀中增加各项异性刻蚀的比率，使侧墙肩膀位置下降形成侧墙的形貌倾斜。本发明方法可弥补BPSG工艺本身填充性能的不足或有限性，从而避免PMD空洞的产生，本发明方法可应用于0.18微米及以下的半导体集成工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 金属 介质 pmd 填充 特性 集成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善金属前介质填充特性的集成方法，所述金属前介质层由衬垫、BPSG和SiO2或SiON三层介质组成，所述集成方法包括：首先在硅基板上生长一层热氧化膜；再淀积一层多晶硅并进行刻蚀；淀积氮化硅或氧化硅，刻蚀后形成侧墙；形成侧墙后淀积SiN作为衬垫，最后淀积BPSG；其特征在于，所述形成侧墙的形貌为倾斜的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610119408.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
