[发明专利]一种高密度可擦写的金属－绝缘体－硅电容器结构无效
| 申请号： | 200610119294.5 | 申请日： | 2006-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN1964075A | 公开（公告）日： | 2007-05-16 |
| 发明（设计）人： | 丁士进;陈玮;张敏;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明为一种可编程/擦除的金属－绝缘体－硅(MIS)电容器结构，使用SiO2/HfO2－Al2O3纳米叠层(HAN)/Al2O3的介质层结构。本电容器具有高电容密度值4.5fF/μm2，分别在+12V的电压下编程和在－12V电压下擦除5毫秒所得的存储窗口为1.45V。在相同的工作电压和工作时间下，该电容器在进行编程和擦除操作时具有对称的正、负平带电压值，并且不存在擦除饱和现象。这原因在于原子层淀积高介电常数HAN/Al2O3层的采用，使得隧穿氧化层(SiO2)上的电压降增大，减小了阻挡氧化层(Al2O3)上的电压降，因此有效地防止了透过阻挡氧化层的Fowler－Nordheim隧穿电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高密度 擦写 金属 绝缘体 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构，其特征在于依次以常用的热氧化SiO2 做隧穿氧化层，采用高介电常数纳米叠层结构HfO2/Al2O3复合层做电荷俘获层，采用高介电常数材料Al2O3做阻挡层；衬底采用Si；最上层为由磁控溅制备的HfN和/或TaN，作为金属栅。
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