[发明专利]CMOS图像传感器和CMOS图像传感器的制造方法

摘要

一种CMOS图像传感器，包括硅衬底、位于硅衬底上具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、位于具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层上的不含双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、位于具有双镶嵌结构的蚀刻停止层上的氧化硅层和位于氧化硅层上的氮氧化硅层；开口，贯穿氮氧化硅层、氧化硅层、不含双镶嵌结构的蚀刻停止层和绝缘层；透光层，形成于氮氧化硅层上并填充满开口；微透镜，形成于开口内透光层上。过上述步骤，将没有进行金属连通的多层绝缘层和蚀刻停止层去除，填充透光好的树脂材料使光线被反射和吸收的量减少，使光电二极管接收到的光能量增多，光敏度提高，进而实现CMOS图像传感器使用的光照环境不受限制，在较暗环境条件下成像清晰。

主权项

1.一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：在硅衬底上依次形成具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、不含双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、氧化硅层和氮氧化硅层，其特征在于，图像传感区形成包括下列步骤：a.在氮氧化硅层上形成图案化光阻；b.以光阻为掩膜，蚀刻氮氧化硅层、氧化硅层、不含双镶嵌结构的蚀刻停止层和绝缘层至露出包含双镶嵌结构的蚀刻停止层，形成开口；c.在氮氧化硅层上形成透光层，且透光层填充满开口；d.在开口内透光层上形成与图像传感区光电二极管相对应的微透镜。