[发明专利]CMOS图像传感器和CMOS图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：在硅衬底上依次形成具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、不含双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、氧化硅层和氮氧化硅层，其特征在于，图像传感区形成包括下列步骤：

a.在氮氧化硅层上形成图案化光阻；

b.以光阻为掩膜，蚀刻氮氧化硅层、氧化硅层、不含双镶嵌结构的蚀刻停止层和绝缘层至露出包含双镶嵌结构的蚀刻停止层，形成开口；

c.在氮氧化硅层上形成透光层，且透光层填充满开口；

d.在开口内透光层上形成与图像传感区光电二极管相对应的微透镜。

2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：用干法蚀刻法蚀刻氮氧化硅层、氧化硅层、不含双镶嵌结构的蚀刻停止层和绝缘层至露出包含双镶嵌结构的蚀刻停止层，形成开口。

3.根据权利要求2所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：用旋涂法在氮氧化硅层上形成透光层，且透光层填充满开口。

4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：所述透光层在氮氧化硅层上的厚度为0.3um至0.8um。

5.根据权利要求4所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：透光层的材料为丙烯酸树脂。

6.根据权利要求1至5任一项所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：所述微透镜的厚度为0.8um至1.2um。

7.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：步骤d包括：在透光层上形成树脂层；

经过曝光和显影，在开口内透光层上方的树脂层上形成与图像传感区光电二极管相对应的微透镜图案；

加热树脂层。

8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：用旋涂法形成树脂层。

9.根据权利要求8所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：加热树脂层的温度为200℃至300℃。

10.一种CMOS图像传感器，包括硅衬底、位于硅衬底上具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、位于具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层上的不含双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、位于具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层上的氧化硅层和位于氧化硅层上的氮氧化硅层，其特征在于，还包括：

开口，贯穿氮氧化硅层、氧化硅层、不含双镶嵌结构的蚀刻停止层和绝缘层；

透光层，形成于氮氧化硅层上并填充满开口；

微透镜，形成于开口内透光层上且与图像传感区光电二极管相对应。

11.根据权利要求10所述的CMOS图像传感器，其特征在于：用旋涂法形成透光层。

12.根据权利要求11所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述透光层在氮氧化硅层上的厚度为0.3um至0.8um。

13.根据权利要求12所述的CMOS图像传感器，其特征在于：透光层的材料为丙烯酸树脂。

14.根据权利要求10至11任一项所述的CMOS图像传感器，其特征在于：所述微透镜的厚度为0.8um至1.2um。

15.一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：在硅衬底上依次形成具有双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、不含双镶嵌结构的绝缘层和蚀刻停止层、氧化硅层和氮氧化硅层，其特征在于，图像传感区形成包括下列步骤：

A.在氮氧化硅层上形成图案化光阻；

B.以光阻为掩膜，蚀刻氮氧化硅层、氧化硅层、不含双镶嵌结构的蚀刻停止层和绝缘层至露出包含双镶嵌结构的蚀刻停止层，形成开口；

C.在氮氧化硅层上和开口内壁形成透光层；

D.在开口底部透光层上形成与图像传感区光电二极管相对应的微透镜。

16.根据权利要求15所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：用干法蚀刻法蚀刻氮氧化硅层、氧化硅层、不含双镶嵌结构的蚀刻停止层和绝缘层至露出包含双镶嵌结构的蚀刻停止层，形成开口。

17.根据权利要求16所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于：用旋涂法在氮氧化硅层上及开口内壁形成透光层。