[发明专利]晶片的清洗方法有效
| 申请号： | 200610119140.6 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101197248A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 徐宽;李鹤鸣;王奇峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种晶片的清洗方法，包括步骤：对去离子水进行弱酸化处理，形成弱酸性的液体；利用所述弱酸性的液体对表面已形成焊盘的晶片进行清洗。本发明的清洗方法应用于半导体制造领域中，通过阻止金属铝和铜在水中发生原电池反应，改善了在清洗晶片时，出现的铝焊盘表面质量严重恶化的情况，提高了铝焊盘的表面质量和焊接质量。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的清洗方法，包括步骤：对去离子水进行弱酸化处理，形成弱酸性的液体；利用所述弱酸性的液体对表面已形成焊盘的晶片进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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