[发明专利]使用蚀刻阻挡区的干法蚀刻系统的系统和方法

摘要

用于改进的干法蚀刻系统的系统和方法。根据实施例，本发明提供了一种部分完成的集成电路器件。该部分完成的集成电路器件包括具有表面区域的半导体衬底。该部分完成的集成电路器件还包括位于表面区域上的蚀刻阻挡层。该蚀刻阻挡层的特征在于在厚度上至少具有第一厚度部分和第二厚度部分。该第二厚度部分包括蚀刻阻挡表面区域。该部分完成的集成电路器件还包括设置在蚀刻阻挡层的第一厚度部分内的二氧化硅材料。该部分完成的集成电路器件包括设置在该蚀刻阻挡层的第二厚度部分内的氮化硅材料。此外，该部分完成集成电路器件包括纵向结构，该纵向结构的特征在于，第一厚度部分内的二氧化硅材料变成第二厚度部分内的氮化硅材料。

主权项

1. 一种部分完成的集成电路器件，包括：具有表面区域的半导体衬底；位于所述表面区域上的蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层的特征在于，至少具有第一厚度部分和第二厚度部分的厚度，所述第二厚度部分具有蚀刻阻挡表面区域；二氧化硅材料，设置在所述蚀刻阻挡层的所述第一厚度部分内；氮化硅材料，设置在所述蚀刻阻挡层的所述第二厚度部分内；纵向结构，其特征在于，在所述第一厚度部分中具有一个硅原子与两个氧原子的初始比率的所述二氧化硅材料变成为所述第二厚度部分内的最终比率的所述氮化硅材料；位于所述蚀刻阻挡表面区域上的可蚀刻材料，所述可蚀刻材料的特征在于含二氧化硅的材料；在第一厚度部分和第二厚度部分中间还具有第三厚度部分，所述第三厚度部分包括氧氮化硅材料。