[发明专利]用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构

摘要

一种形成应变硅集成电路器件的方法，包括：提供半导体衬底；形成上覆于半导体衬底的电介质层；形成上覆于电介质层的栅极层；形成上覆于栅极层的硬掩模；利用硬掩模作为保护层图案化栅极层，以形成栅极结构；形成上覆于栅极结构的电介质层；由电介质层形成多个隔片，同时保留上覆于栅极结构的硬掩模；利用电介质层和硬掩模作为保护层，刻蚀紧邻栅极结构的源区和漏区，而硬掩模防止栅极结构的任何部分暴露；保留硬掩模；将硅锗材料沉积到源区和漏区中，同时利用硬掩模使栅极层的任何部分保持不被暴露，所述硅锗材料使得源区和漏区之间的沟道区从形成在源区和漏区中的至少硅锗材料以压缩模式发生应变；从栅极结构去除硬掩模，以暴露栅极结构的顶部。

主权项

1.一种用于形成半导体集成器件的方法，包括：提供半导体衬底；形成上覆于所述半导体衬底的电介质层；形成上覆于所述电介质层的栅极层；形成上覆于所述栅极层的硬掩模；利用所述硬掩模作为保护层，图案化所述栅极层，以形成包括多个边缘的栅极结构；形成上覆于所述栅极结构的电介质层，以保护包括所述多个边缘的所述栅极结构；由所述电介质层形成多个隔片，同时保留上覆于所述栅极结构的所述硬掩模；利用所述电介质层和所述硬掩模作为保护层，刻蚀紧邻所述栅极结构的源区和漏区，同时所述硬掩模防止所述栅极结构的任何部分被暴露；保留上覆于所述栅极结构的所述硬掩模；将硅锗材料沉积到所述源区和所述漏区中，以填充所述被刻蚀的源区和所述被刻蚀的漏区，同时利用所述硬掩模使所述栅极层的任何部分保持不被暴露，以使所述栅极结构基本没有任何硅锗材料的永久性沉积；使得所述源区和所述漏区之间的沟道区从形成在所述源区和所述漏区中的至少所述硅锗材料以压缩模式发生应变；以及从所述栅极结构去除所述硬掩模，以暴露所述栅极结构的顶部，所述栅极结构的所述顶部基本没有任何硅锗材料。