[发明专利]金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610116846.7 | 申请日： | 2006-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101154682A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 叶好华;何学缅;李煜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体器件，包括：半导体衬底；在所述衬底表面形成的栅极结构，所述栅极结构两侧具有侧墙；位于所述衬底中的源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别具有轻掺杂区；位于所述栅极、源极区和漏极区上的金属硅化物；和位于所述轻掺杂区中的第一杂质离子和第二杂质离子。本发明提供了一种金属氧化物半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成栅极；注入第一杂质离子和第二杂质离子形成轻掺杂区；沉积介质层并刻蚀所述介质层形成侧墙；注入第一杂质离子形成源极区和漏极区；在所述栅极、源极区和漏极区表面形成金属硅化物。本发明能够有效阻止金属镍向轻掺杂区域的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体器件，包括：半导体衬底；在所述衬底表面形成的栅极结构，所述栅极结构两侧具有侧墙；位于所述衬底中的源极区和漏极区，所述源极区和漏极区分别具有轻掺杂区；位于所述栅极、源极区和漏极区上的金属硅化物；和位于所述轻掺杂区中的第一杂质离子和第二杂质离子。
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