[发明专利]一种具有非连续导电膜的薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200610114425.0 | 申请日： | 2006-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN1949542A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李德杰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有非连续导电膜的薄膜晶体管，包括衬底、设置在衬底上的栅极、绝缘层、设置在绝缘层上面的半导体层以及分别设置在半导体上面的源极和漏极，其技术特征是在源极和漏极之间设置一层非连续岛状导电薄膜，该非连续岛状导电薄膜可以设置在半导体层之上，也可以设置在绝缘层和半导体层之间。采用这种结构后，薄膜晶体管的导通电流可以增大5倍以上，而且器件的制备工艺和结构简单，只是增加了一层导电薄膜。本发明可以用于需要大电流的各类平板显示器件中，也可用于需要大电流的传感器件和其它多种电子器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 连续 导电 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种具有非连续导电膜的薄膜晶体管，依次包括衬底(10)、设置在衬底上的栅极(11)、绝缘层(14)、设置在绝缘层上面的半导体层(15)以及分别设置在半导体层上面的源极(12)和漏极(13)，其特征在于：在所述的源极(12)和漏极(13)之间增加一层岛状非连续导电薄膜(16)，所述的岛状非连续导电薄膜(16)设置在半导体层(15)的上面。
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