[发明专利]P型氮化镓电极的制备方法无效
| 申请号： | 200610114190.5 | 申请日： | 2006-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN101174660A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈宇;王良臣;伊晓燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种P型氮化镓电极的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上外延Mg掺杂P型氮化镓基体；在Mg掺杂P－GaN基体上电子束蒸发半透明电极欧姆接触层Ru/Ni；在半透明电极欧姆接触层Ru/Ni上电子束蒸发一层粘附层Ni；在粘附层Ni上电子束蒸发一层高发射镜Ag；在高发射镜Ag上电子束蒸发一层阻挡层Pt；在阻挡层Pt上键合保护层Au，其作用是防止金属电极的氧化和污染。完成P型氮化镓电极的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种P型氮化镓电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在蓝宝石衬底上外延Mg掺杂P型氮化镓基体；步骤2：在Mg掺杂P-GaN基体上电子束蒸发半透明电极欧姆接触层Ru/Ni，电极剥离后，进行合金化处理；步骤3：在半透明电极欧姆接触层Ru/Ni上电子束蒸发一层粘附层Ni，粘附层Ni能够增加半透明电极欧姆接触层Ru/Ni的粘附强度；步骤4：在粘附层Ni上电子束蒸发一层高发射镜Ag，高反射镜Ag的主要作用是充当高反射的反射镜，电极对455-460nm光线反射率为84％，增加电极的出光效率；步骤5：在高发射镜Ag上电子束蒸发一层阻挡层Pt，在高温或者长期工作条件下，阻挡层Pt能阻止键合保护层Au的内扩散，防止欧姆接触电阻和反向漏电增加及高反射镜Ag的退化，提高P-GaN金属电极热稳定性；步骤6：在阻挡层Pt上键合保护层Au，其作用是防止金属电极的氧化和污染。
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