[发明专利]氮化镓基蓝光激光器的制作方法无效
申请号: | 200610112547.6 | 申请日: | 2006-08-23 |
公开(公告)号: | CN101132111A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 李慧;种明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00;H01S5/22;H01S5/343;H01L33/00;H01L21/84 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种氮化镓基蓝光激光器的制作方法,包括在蓝宝石衬底上依次外延生长氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、N型覆盖层、N型波导层、有源区多量子阱层、P型波导层、P型覆盖层、P型氮化镓层,形成氮化镓激光器结构;刻蚀,形成脊型波导;制备绝缘保护层和P型电极;制备金属覆盖层;在砷化镓衬底上制备金属覆盖层;将制备好的两样片键合在一起,在其空隙处导入导热绝缘的环氧树脂封胶,固化;除去蓝宝石衬底;解理;在解理后的管芯腔面镀膜;通过焊料层将砷化镓衬底底部焊接到热沉上,并分别从热沉的焊料层上和N型电极上引出P电极引线和N电极引线,完成蓝光激光器的制作。 | ||
搜索关键词: | 氮化 镓基蓝光 激光器 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种氮化镓基蓝光激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:1)在蓝宝石衬底上利用金属化学有机气相沉积方法依次外延生长氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、N型覆盖层、N型波导层、有源区多量子阱层、P型波导层、P型覆盖层、P型氮化镓层,形成氮化镓激光器结构;2)利用干法刻蚀的方法,刻蚀P型氮化镓层、P型覆盖层、P型波导层、有源区多量子阱层、N型波导层和N型覆盖层的部分两侧刻蚀,形成脊型波导;3)在脊型波导的两侧及N型覆盖层上制备绝缘保护层;4)在脊型波导的顶部制备P型电极;5)在P型电极及绝缘保护层的上表面制备金属覆盖层;6)取一砷化镓衬底,在该砷化镓衬底上制备金属覆盖层;7)利用非平面金属键合技术将步骤5)制备好的样片倒置与步骤6)制备好的样片键合在一起,使两样片金属覆盖层紧密接触;8)在键合好的两样片之间的空隙处导入导热绝缘的环氧树脂封胶,并固化;9)除去蓝宝石衬底,露出N型氮化镓;10)在N型氮化镓上制作N型电极;11)解理,分割成单个管芯;12)在解理后的管芯腔面镀膜;13)通过焊料层将砷化镓衬底底部焊接到热沉上,并分别从热沉的焊料层上和N型电极上引出P电极引线和N电极引线,完成蓝光激光器的制作。
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