[发明专利]绝缘性靶材及其制造方法、导电性复合氧化膜及设备有效
申请号: | 200610111222.6 | 申请日: | 2006-08-15 |
公开(公告)号: | CN1916229A | 公开(公告)日: | 2007-02-21 |
发明(设计)人: | 大桥幸司;岩下节也;木岛健;滨田泰彰 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种绝缘性靶材,该绝缘性靶材质地均匀且绝缘性高,并具有良好的特性,用于制造导电性复合氧化膜。上述绝缘性靶材是用于获得以通式ABO3表示的导电性复合氧化膜的绝缘性靶材,包括A元素的氧化物、B元素的氧化物以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。 | ||
搜索关键词: | 绝缘性 及其 制造 方法 导电性 复合 氧化 设备 | ||
【主权项】:
1.一种绝缘性靶材,用于获得以通式ABO3表示的导电性复合氧化膜,其特征在于包括:A元素的氧化物;B元素的氧化物;以及Si化合物及Ge化合物中的至少一种。
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