[发明专利]半导体存储器件无效
申请号: | 200610111087.5 | 申请日: | 2006-08-18 |
公开(公告)号: | CN1917083A | 公开(公告)日: | 2007-02-21 |
发明(设计)人: | 三木隆 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C11/40 | 分类号: | G11C11/40;H01L27/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种能够高速动作、面积小、功耗低、并装载了强电介质的半导体存储器件。本发明的半导体存储器件包括:多个以矩阵状排列的存储单元MC、在行方向上排列的多根位线BL和多根板线电位供给线SCP,在列方向上排列的多根字线WL和多根板线CP,分别与上述多个位线电连接、在列方向上排列的多个读出放大器SA,在列方向上排列、驱动该板线电位供给线SCP的多个板线电位供给电路CPD,以及将板线电位供给线SCP与多根板线CP电连接的装置;其中,多个板线电位供给线SCP分别在同一根板线CP上的不同位置上与该板线CP电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,其特征在于,包括:以矩阵状排列的多个存储单元;在行方向上延伸的多根位线和多根板电位供给线;在列方向上延伸的多根字线和多根板线;与上述多根位线分别电连接、排列于列方向上的多个读出放大器电路;在列方向上排列的多个板线电位供给电路;将上述多个板电位供给线分别与上述多个板线电连接的装置;和将上述多根板电位供给线分别与上述多个板线电位供给电路电连接的装置;其中,上述多根位线分别与排列于同一行的上述多个存储单元的每一个共同地连接;上述多根字线及上述多根板线分别与排列于同一列的上述多个存储单元的每一个共同地连接;上述多个存储单元的每一个的栅极通过与上述字线连接的选择晶体管与上述位线电连接,同时具有与上述板线电连接的电容;上述多个板电位供给线分别在同一板线的不同的位置上与该板线电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610111087.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。