[发明专利]一种金属纳米晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 200610109562.5 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101122006A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 龙世兵;李志刚;刘明;陈宝钦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/34;C23C14/58;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属纳米晶薄膜的制备方法，该方法包括：A.在绝缘衬底上淀积一层金属薄膜；B.在惰性气体中高温快速退火，形成分离的金属纳米晶薄膜。利用本发明制备的金属纳米晶薄膜，具有很好的电荷俘获和存储特性，能够与传统的硅平面工艺兼容，非常适合于适于制作高性能的半导体存储器件。利用本发明提供的制备金属纳米晶薄膜的方法，大大简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了工艺稳定性和制备效率，非常有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属纳米晶薄膜的制备方法，其特征在于，该方法包括：A、在绝缘衬底上淀积一层金属薄膜；B、在惰性气体中高温快速退火，形成分离的金属纳米晶薄膜。
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