[发明专利]光掩模、有源器件阵列基板及其制造方法无效
申请号: | 200610109022.7 | 申请日: | 2006-07-25 |
公开(公告)号: | CN101114618A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 许博文 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G03F7/20 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种有源器件阵列基板的制作方法。首先提供基板,并于基板上依序形成第一图案化导电层、第一介电层以及半导体层。然后,图案化半导体层及第一介电层,以同时形成沟道层以及具有第一接触窗的栅绝缘层。之后,于栅绝缘层上形成第二图案化导电层,其中部分第二图案化导电层覆盖于沟道层上,且部分第二图案化导电层透过第一接触窗与部分第一图案化导电层电性连接。然后,于栅绝缘层上形成具有第二接触窗的保护层,以覆盖沟道层及第二图案化导电层上。最后,于保护层上形成与第二图案化导电层电性连接的像素电极。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 有源 器件 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有源器件阵列基板的制作方法,包括:提供基板;于该基板上形成第一图案化导电层;于该基板上依序形成第一介电层以及半导体层,以覆盖住该第一图案化导电层;图案化该半导体层以及该第一介电层,以同时形成多个沟道层以及具有多个第一接触窗的栅绝缘层;于该栅绝缘层上形成第二图案化导电层,其中部分该第二图案化导电层覆盖于该多个沟道层上,且部分该第二图案化导电层透过该多个第一接触窗与部分该第一图案化导电层电性连接;于该栅绝缘层上形成具有多个第二接触窗的保护层,以覆盖于该多个沟道层及该第二图案化导电层上;以及于该保护层上形成多个与该第二图案化导电层电性连接的像素电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇美电子股份有限公司,未经奇美电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610109022.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造