[发明专利]CMOS影像感测组件的制作方法

摘要

一种具有栓固式光二极管CMOS影像感测组件的制作方法，包含提供第一导电型半导体基材，其具有一掺杂阱；于掺杂阱上形成栅极；进行自我对准离子注入工艺，于半导体基材的光感应区内形成第二导电型二极管掺杂区；进行斜角度离子注入工艺，于半导体基材内形成第二导电型口袋掺杂区；于栅极侧壁上形成侧壁子；在二极管掺杂区内形成第一导电型表面栓固掺杂层，表面栓固掺杂层、二极管掺杂区、口袋掺杂区与半导体基材构成一栓固光二极管组态。

主权项

1.一种CMOS影像感测组件的制作方法，包含有：提供一第一导电型的半导体基材，其上具有一掺杂阱；于该掺杂阱上形成一栅极，其中该栅极为该CMOS影像感测组件的转换晶体管的栅极；进行一自我对准离子注入工艺，于该半导体基材的一光感应区内形成一第二导电型的二极管掺杂区；进行一斜角度离子注入工艺，于该半导体基材内形成一第二导电型的口袋掺杂区，其中该口袋掺杂区位于该栅极的正下方；于该半导体基材内形成一第二导电型的浮置掺杂区，其中该浮置掺杂区形成在该栅极的一侧，且与该口袋掺杂区相隔一段距离；于该栅极的侧壁上形成一侧壁子；以及在该二极管掺杂区内形成一第一导电型的表面栓固掺杂层，其中该表面栓固掺杂层、该二极管掺杂区、该口袋掺杂区与该半导体基材共同构成一被栓固的光二极管组态，且该表面栓固掺杂层可于该侧壁子形成之前或之后始形成。