[发明专利]半导体存储器件无效
申请号: | 200610107855.X | 申请日: | 2006-07-26 |
公开(公告)号: | CN1905074A | 公开(公告)日: | 2007-01-31 |
发明(设计)人: | 黑田直喜 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G11C17/08 | 分类号: | G11C17/08 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 季向冈 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明在于提供一种半导体存储器件,能够削减待机时和工作时的消耗功率,并使存储容量的大规模化。在存储单元阵列110,以互相邻接的2行分的存储单元1个的比例,设置源线(SN0~SN(n-2)/2)。进一步地,设置对应各源线的多个源偏压控制电路(121),来向各源线供给高于接地电位低于电源电位的源偏压电位。并且,在激活期间,使得各源线中被行解码器(150)所选择的源线中、与读出对象的存储单元不连接的源线,根据源偏压控制电路(171),被控制成供给上述源偏压电位状态。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,具备了由1个晶体管构成的存储单元被配置成矩阵状的存储单元阵列,其特征在于:包括:字线,和所述矩阵的各行对应而设,将和所对应的行的各晶体管的门极端子共同连接;位线,和所述矩阵的各列对应而设,和所对应的列的至少1个晶体管的漏极端子共同连接;源线,和所述矩阵的互相邻接的每2行对应而设,使所述2行的各晶体管的源极端子共同连接;源偏压控制电路,在进行从所述存储单元读出数据的工作的激活期间,按照用来选择控制对象的源线的行选择信号,将和成为控制对象中的源线的读出对象的存储单元不连接的源线、控制成被供给高于接地电位且低于电源电位的源偏压电位的状态;以及源线选择电路,从所述源线中选择所述控制对象的源线,生成所述行选择信号。
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