[发明专利]可电测加速度和电压的无源测量器件及其制造方法有效
申请号: | 200610107760.8 | 申请日: | 2006-07-25 |
公开(公告)号: | CN1949528A | 公开(公告)日: | 2007-04-18 |
发明(设计)人: | D·V·霍拉克;C·W·柯布格尔三世;古川俊治;S·J·霍尔梅斯;M·C·哈基;L·M·P·帕斯特尔 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/20 | 分类号: | H01L27/20;H01L41/08;H01L21/00;H01L41/22;G01P15/09;G01R19/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;刘瑞东 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了加速度和电压测量器件及其制造方法。所述加速度和电压测量器件包括:导电板,在第一绝缘层的顶表面上;第二绝缘层,在所述导电板的顶表面上,所述板的所述顶表面在所述第二绝缘层中的开口中露出;导电纳米管,在所述开口上悬置;以及与所述纳米管的导电接触。 | ||
搜索关键词: | 可电测 加速度 电压 无源 测量 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种器件,包括:导电板,在第一绝缘层的顶表面上;第二绝缘层,在所述导电板的顶表面上,所述板的所述顶表面在所述第二绝缘层中的开口中露出;一个或多个导电纳米管的一组或多组,所述纳米管的末端的第一和第二端部区域与所述第二绝缘层接触,所述纳米管的中间区域悬置于所述开口上,所述一个或多个纳米管的不同组中的纳米管互相不电接触;以及一个或多个导电接触,所述一个或多个接触的每个与所述一个或多个纳米管的不同组的纳米管的第一端部区域电接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610107760.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于螺纹紧固件的保持座
- 下一篇:半导体装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的