[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法有效
| 申请号: | 200610103182.0 | 申请日: | 2006-07-07 |
| 公开(公告)号: | CN1893096A | 公开(公告)日: | 2007-01-10 |
| 发明(设计)人: | 许命九 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板,包括衬底、形成在所述衬底上的数据线和栅电极、形成在所述数据线和栅电极上的绝缘层、形成在所述绝缘层上的半导体层、形成在所述半导体层上漏电极和源电极、形成在所述漏电极和源电极上的包括暴露部分所述数据线的第一接触孔、暴露部分所述源电极的第二接触孔、暴露部分所述漏电极的第三接触孔和暴露部分所述栅电极的第四接触孔的钝化层、形成在所述钝化层上并通过所述第一接触孔和第二接触孔连接到所述数据线和源电极的第一连接器、形成在所述钝化层上并通过所述第四接触孔连接到所述栅电极的栅极线、和通过所述第三接触孔连接到所述漏电极的像素电极。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:衬底;数据线和栅电极,形成在所述衬底上;绝缘层,形成在所述数据线和栅电极上;半导体层,形成在所述绝缘层上;漏电极和源电极,形成在所述半导体层上;钝化层,形成在所述漏电极和源电极上,其中所述钝化层包括暴露部分所述数据线的第一接触孔、暴露部分所述源电极的第二接触孔、暴露部分所述漏电极的第三接触孔和暴露部分所述栅电极的第四接触孔;第一连接器,形成在所述钝化层上并通过所述第一和第二接触孔连接到所述数据线和源电极;栅极线,形成在所述钝化层上并通过所述第四接触孔连接到栅电极;和像素电极,通过所述第三接触孔连接到所述漏电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





