[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610101939.2 | 申请日： | 2006-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1897307A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 森茂;是成贵弘;松崎忠弘;田边浩 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社;NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在绝缘衬底上形成基层，并在其上局部地形成半导体层。接着形成栅绝缘膜以覆盖半导体层，并且在栅绝缘膜的一部分上形成栅极。接着经栅绝缘膜向半导体层注入杂质，并形成源区、漏区和LDD区。用稀释氢氟酸蚀刻栅绝缘膜。接着形成电极保护绝缘膜以覆盖栅极，并用稀释氢氟酸蚀刻掉电极保护绝缘膜表面层部分的整个表面。由此除去引入电极保护绝缘膜和栅绝缘膜的载流子阱。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；衬底上局部形成的半导体层；半导体层上形成的栅绝缘膜；栅绝缘膜上所述半导体层正上方区域的部分中形成的栅极；以及在所述栅绝缘膜和所述栅极上形成的电极保护绝缘膜；其中在形成电极保护绝缘膜之后将所述电极保护绝缘膜的表面层部分蚀刻掉。
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