[发明专利]垂直PNP晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610101301.9 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1901197A | 公开（公告）日： | 2007-01-24 |
| 发明（设计）人： | B·T·弗格利;P·B·格雷 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/082 | 分类号： | H01L27/082;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种器件结构，该结构位于半导体衬底中并且包括高性能垂直NPN和PNP晶体管。具体地说，垂直PNP晶体管具有发射极区域，并且垂直NPN晶体管具有本征基极区域。垂直PNP晶体管的发射极区域和垂直NPN晶体管的本征基极区域位于单个含硅锗层中，并且它们都包括单晶硅锗。本发明还涉及制造这样的器件结构的方法，该方法基于用于CMOS和双极器件的常规制造工艺的间接修改，具有很少或没有附加工艺步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 pnp 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种位于半导体衬底中的器件结构，包括：垂直PNP晶体管，具有发射极区域；以及垂直NPN晶体管，具有本征基极区域，其中所述垂直PNP晶体管的发射极区域和所述垂直NPN晶体管的本征基极区域都包括单晶结构并且都位于单个含硅锗层中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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