[发明专利]新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法无效
| 申请号： | 200610098234.X | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN1971949A | 公开（公告）日： | 2007-05-30 |
| 发明（设计）人： | 江若琏;谢自力;张荣;文博;周建军;刘斌;陈敦军;郑有炓;韩平;刘成祥 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L31/078 | 分类号： | H01L31/078;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武;王鹏翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料InxGa1－xN(0≤x≤1)为光吸收区和InxGa1－xN MS或MIS结构表面势垒型太阳电池，在蓝宝石衬底材料上生长20－200nm厚度的低温GaN缓冲层，退火后接着外延生长1000－2000nm厚度的高温GaN缓冲层和200－1000nm厚度的InxGa1－XN光吸收层，然后在InxGa1－xN上设有肖特基接触金属Ni和厚引线金属Au形成肖特基结构，以及在InxGa1－xN上淀积2－20nm厚度的Si3N4绝缘薄膜后再设肖特基接触金属和厚引线金属形成金属－半导体－金属结构，并在n－InGaN材料上设有Ti/Al/Ni/Au多层金属导电电极，形成MS和MIS两种结构的表面势垒InGaN太阳电池。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 半导体材料 铟镓氮 表面 势垒型 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、铟镓氮表面势垒型太阳电池，其特征是选用半导体材料InxGa1-xN(0≤x≤1)为光吸收区和InxGa1-xN MS和MIS结构表面势垒型太阳电池，在蓝宝石(sapphire)衬底材料上生长20-200nm厚度的低温GaN缓冲层，退火后接着外延生长1000-2000nm厚度的高温GaN缓冲层和200-1000nm厚度的InxGa1-xN光吸收层，然后在InxGa1-xN上设有肖特基接触金属Ni和厚引线金属Au形成肖特基(MS)结构，以及在InxGa1-xN上淀积2-20nm厚度的Si3N4绝缘薄膜后再设肖特基接触金属和厚引线金属形成金属-半导体-金属(MIS)结构，并在n-InGaN材料上设有Ti/Al/Ni/Au多层金属导电电极，形成MS和MIS两种结构的表面势垒InGaN太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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