[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

提供一种CMOS图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括层间绝缘层，滤色层，第一平滑层，以及至少一个微透镜。该层间绝缘层形成在包括至少一个光电二极管的半导体衬底上。该滤色层形成在层间绝缘层上并且包括至少一个具有预定波长的滤色片。该第一平滑层形成在包括滤色层的半导体衬底的整个表面上，并且具有通过预定热处理被硬化之后的均匀表面张力。该至少一个微透镜与光电二极管相对应地形成在第一平滑层上。

主权项

1.一种CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器，包括：形成在半导体衬底上的层间绝缘层，该半导体衬底包括至少一个光电二极管；形成在该层间绝缘层上的滤色层，包括至少一个具有预定波长的滤色片；形成在包括滤色层的半导体衬底的整个表面上的第一平滑层，并且具有通过预定的热处理被硬化后的均匀表面张力；以及形成在第一平滑层上的对应于光电二极管的至少一个微透镜。