[发明专利]非挥发性记忆元件的操作方法有效
| 申请号： | 200610090051.3 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101093725A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭;赖二琨;王嗣裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/06;G11C11/56;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非挥发性记忆元件的操作方法。此记忆元件包括多个记忆单元。记忆单元具有半导体基底、堆叠层以及设置于基底表面下、且以通道区分隔的源极与汲极区。堆叠层包括绝缘层、电荷储存层、多层穿隧介电结构以及闸极。绝缘层设置于通道区上。电荷储存层设置于绝缘层上。多层穿隧介电结构设置于电荷储存层上。闸极则设置于多层穿隧介电结构上。在闸极施加负偏压，藉由－FN穿隧机制，使电子从记忆单元的闸极经由多层穿隧介电结构注入于电荷储存层，造成记忆单元的启始电压上升。于闸极施加一正偏压，藉由+FN穿隧机制，使电洞从该记忆单元的该闸极经由该多层穿隧介电结构注入于该电荷储存层，造成该记忆单元的启始电压下降。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆 元件 操作方法 | ||
【主权项】：
1、一种记忆单元的操作方法，其特征在于其包括：提供一记忆单元，该记忆单元包括：一基底，具有二源/汲极区设置于该基底的一表面下，该二源/汲极区藉由一通道区分隔；一绝缘层，设置于该通道区上；一电荷储存层，设置于该绝缘层上；一多层穿隧介电结构，设置于该电荷储存层上；以及一闸极，设置于该多层穿隧介电结构上；进行一第一操作，于该闸极施加一负偏压并使该些源/汲极区浮置、接地或设为0伏特，藉由-FN穿隧机制，使电子从该记忆单元的该闸极经由该多层穿隧介电结构注入于该电荷储存层，造成该记忆单元的启始电压上升；以及进行一第二操作，于该闸极施加一正偏压并使该些源/汲极区浮置、接地或设为0伏特，藉由+FN穿隧机制，使电洞从该记忆单元的该闸极经由该多层穿隧介电结构注入于该电荷储存层，造成该记忆单元的启始电压下降。
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