[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200610087750.2 | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1873990A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 入沢寿史;沼田敏典;手塚勉;杉山直治;高木信一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/84 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括形成在绝缘层(12)上的半导体层上的n沟道MIS晶体管和p沟道MIS晶体管，其中，n沟道MIS晶体管的沟道由具有双轴拉应变的应变硅层(22)构成，而p沟道MIS晶体管的沟道由沿沟道长度方向具有单轴压应变的应变硅锗层(31)构成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于包含：绝缘膜(12)；应变硅层(22)，此应变硅层(22)形成在绝缘膜(12)上且具有双轴拉应变；应变硅锗层(31)，此应变硅锗层(31)形成在绝缘膜(12)上且具有单轴压应变；形成在应变硅层(22)上的n沟道金属-绝缘体-半导体(MIS)晶体管；以及p沟道MIS晶体管，此p沟道MIS晶体管形成在应变硅锗层(31)上且沟道长度方向相同于单轴压应变的单轴方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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