[发明专利]场效应晶体管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200610087732.4 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1877859A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杜雷塞蒂·奇达姆巴拉奥;戴维·M·昂松戈;戴维·R·汉森 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种场效应晶体管(“FET”)，该晶体管具有包含沟道区、源区和漏区的半导体区，且在沟道区上有栅极导体。这样的FET具有第一量值的第一阈值电压及第二量值的第二阈值电压，而第二量值高于第一量值，两个阈值电压同时起作用。此FET可响应于栅极导体与源区之间的栅－源电压而在多个状态下工作，这些状态至少包括：a)当栅－源电压值低于第一量值及第二量值时的基本不导通态，源－漏电流则至多为可忽略值；b)当栅－源电压值高于第一量值但低于第二量值时的第一导通态，源－漏电流则为第一工作值，约比可忽略值高十倍或更高；以及c)当栅－源电压值高于第一量值及第二量值时的第二导通态，源－漏电流为第二工作值，约比第一工作值高十倍或更高。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管(“FET”)包括：含有沟道区、源区和漏区的半导体区；及在所述沟道区上的栅极导体，其中所述FET具有第一量值的第一阈值电压和高于所述第一量值的第二量值的第二阈值电压，所述第一阈值电压和第二阈值电压同时起作用，所述FET可响应于所述栅极导体与所述源区之间的栅-源电压而在多个状态下工作，这些状态至少包括：a)基本不导通态，这是在所述栅-源电压低于所述第一量值和第二量值时的状态，使得在所述源区与漏区之间的源-漏电流具有可忽略的值；b)第一导通态，这是在所述栅-源电压值高于所述第一量值而低于所述第二量值时的状态，其中，所述源-漏电流具有第一工作电流值，此电流值约比所述可忽略值高十倍或更高；以及c)第二导通态，这是在所述栅-源电压值高于第一量值及所述第二量值时的状态，其中，所述源-漏电流具有第二工作电流值，此电流值约比所述第一工作电流值高十倍或更高。
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