[发明专利]半导体装置的硬质掩模用聚合物以及含有该聚合物的组合物无效
| 申请号： | 200610084286.1 | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1983026A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 郑载昌 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所披露的是一种用于硬质掩模的聚合物及含有该聚合物的组合物，它们适用于制造下一代的半导体装置。当使用具有强的耐热性的聚酰胺酸形成半导体装置的底层图案时，通过旋涂方法和其它热工艺来形成聚酰胺酸膜，并使用它作为硬质掩模，由此有助于精细图案的蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 硬质 掩模用 聚合物 以及 含有 组合 | ||
【主权项】：
1.一种下式1所表示的聚酰胺酸，式1![]()
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G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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