[发明专利]薄膜晶体管、半导体器件、显示器、结晶方法和薄膜晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 200610084254.1 | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1929151A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 加藤智也;松村正清;中崎能彰 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/04;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有高迁移率并且迁移率或阈电压特性波动很小的薄膜晶体管。厚度小于50nm并且设置在绝缘衬底(1)上的非单晶半导体薄膜(3)用具有反峰构图光强分布的激光照射以在横向单向地生长晶体。因此，在晶体生长方向具有比宽度长的尺寸的带状晶粒(4)，在宽度方向彼此相邻地排列形成晶粒阵列(5)。形成TFT的源区(S)和漏区(D)，使得电流在包括该晶粒阵列(5)的多个晶粒(4)的区域内在所述晶体生长方向流过。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体器件 显示器 结晶 方法 制备 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，特征在于包括：衬底(1)；直接或间接地设置在衬底(1)上的非单晶半导体薄膜(3)；晶粒阵列(5)，它形成于非单晶半导体薄膜(3)中并且由在纵向延伸并且在宽度方向彼此相邻排列的带状晶粒(4)构成；和源区(S)和漏区(D)，它们包括晶粒阵列(5)中多个晶粒(4)并且成型使得电流在晶粒(4)的纵向流过，其中晶粒(4)是通过在非单晶半导体薄膜(3)中产生晶种(11)，然后在纵向由各个晶种(11)生长晶体而形成的。
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