[发明专利]一种碳化硅单晶生长后的热处理方法有效
| 申请号： | 200610081294.0 | 申请日： | 2006-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1884639A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 朱丽娜;陈小龙;倪代秦;杨慧;彭同华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶生长后的热处理方法，该方法将覆碳膜的SiC单晶和粉料置于坩埚中，在加热炉中氩气保护下升至预定热处理温度，并保温一定时间，随炉冷却，即可通过热处理过程中的SiC晶体重结晶和固态扩散来消除部分微管和包裹物缺陷。本发明的实现了SiC单晶中微管和包裹物缺陷数量的降低，从而提高SiC单晶质量。此外，本发明工艺简单、成本低廉、易于实现，对SiC单晶缺陷的减少和质量的提高具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 热处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碳化硅单晶生长后的热处理方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)称取适当配比的粉料；(2)将SiC单晶表面覆碳膜；(3)将粉料与SiC单晶装入热处理坩埚中，SiC单晶置于粉料中；(4)将坩埚置于加热炉中，封闭系统，炉内抽真空后，充入氩气；(5)升温至预定热处理温度，并保温一定时间，关闭电源，随炉冷却；(6)打开加热炉和热处理坩埚，取出SiC单晶，并对SiC单晶表面进行清洗、研磨和抛光，即可得到消除部分微管和包裹物缺陷的SiC单晶。
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