[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括一有源区域、一凹形沟道区域、一储存节点结区域、一栅极绝缘膜、以及一栅电极。该有源区域藉由一形成在半导体衬底中的器件隔离结构所界定，其中该有源区域的侧壁的下部被形成凹形。该凹形沟道被形成在该有源区域之下的半导体衬底中，其中该凹形沟道具有垂直的沟道区域以及水平的沟道区域。该储存节点结区域被形成在该器件隔离结构以及半导体衬底之上。该栅极绝缘膜被形成在包含该凹形沟道区域的有源区域之上。该栅电极被形成在该栅极绝缘膜之上，以填满该凹形沟道区域。

主权项

1.一种半导体器件，其包括：形成在半导体衬底中的器件隔离结构，以界定有源区域，其中该有源区域的侧壁的下部被形成凹形；形成在该有源区域之下的半导体衬底中的凹形沟道区域，该凹形沟道区域具有垂直沟道区域以及水平沟道区域；形成在该器件隔离结构以及半导体衬底之上的储存节点结区域；形成在包括该凹形沟道区域的有源区域之上的栅极绝缘膜；以及形成在该栅极绝缘膜之上的栅电极，以填满该凹形沟道区域。